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国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统受电成功

发布时间:2019-08-06    信息来源:超级管理员

  7月31日,安装工程公司承建的国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待。

  该项目从中标到受电仅两个月,共供货安装调试22台变压器、44台高压柜和43台低压柜,从材料采购、现场施工与调试仅仅只有两个月的时间,从进场的第一天起就开始了送电的倒计时。安装工程公司在投标阶段,就提前与厂家积极沟通,启动设备预采购工作,与三家设备厂家会同业主,提前完成设备变压器、高底压柜等一次图、二次图纸设计审核工作,为后续设备采购争取最快到货时间,为该项目的快速推进打下了坚实的基础。

  为使并网工作顺利、有序进行,项目启动后第一时间就开始勘测现场,了解一期中高压柜的结构。项目部人员在安装启动前两周,就与EPC总包、业主讨论并确定好施工方案。并网施工前,将盘柜断路器耐压、分合闸等试验做完,待设备就位母排连接完成后,开始做耐压试验。此次并网施工业主停电时间短,留给安装调试的时间不足24小时,经过项目部的提前筹划,精心安排,于7月20日一次成功并网,为最后的受电吹响了冲锋的号角。项目部共编制方案35个,每天工作超过16小时,秉承“一天也不耽误,一天也不懈怠”朴实厚重的中冶精神,最终确保了7月31日项目受电的最大目标。

  国家存储器基地项目位于武汉东湖高新区武汉未来科技城,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其它若干配套建筑。国家存储器基地的建立,以芯片制造环节为突破口,集存储器产品设计、技术研发、晶圆生产与测试、销售于一体,建成后,还将带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展,标志着芯片自主创新之路迈出可靠而重要的一步。

 (信息来源:安装工程公司  袁纹绞)